表面削剥領域を有するエピタキシャルシリコンウェーハを形成するための方法および装置

Abstract

電子デバイスを製造する際に用いられる半導体ウェーハ上に、表面削剥領域およびエピタキシャル層を形成するための装置および方法が提供される。表面削剥領域およびエピタキシャル層はチャンバ内で形成される。この装置は、サセプタ上に移動できないように取り付けられた複数の直立ピンを有し、エピタキシャル層および表面削剥領域を形成する際、半導体ウェーハをサセプタから離間させた状態で維持する。ウェーハの高速冷却は、冷却時において、半導体ウェーハをサセプタに対する熱伝導位置関係から外すことにより実現される。

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