制御された導電率を有する半導体材料および半導体デバイスの製造方法

Abstract

半導体材料(30、50)表面を損傷およびドーパントパッシベーションから保護する方法を開示する。濃度の高いまたは反応性材料のバリア層(32、52)が、MOCVDソースガスを用いて、MOCVD反応装置などの成長反応装置(10)内での成長直後に、半導体材料上に堆積される。バリア層(32、52)は、材料内への水素の拡散を遮断する。反応装置(10)を、反応性または非反応性ガス雰囲気で冷却することができる。わずかなドーパント種のパッシベーションを有して、またはドーパント種のパッシベーションを有さないで、反応装置(10)から半導体材料を取り出すことができる。バリア層(32、52)を、ウェット化学エッチングを含む様々なエッチングプロセスを用いて取り除くことができ、または表面保護のために半導体材料に残すことができる。バリア層(32、52)は、ゲッタリング層とすることもでき、ゲッタリング層は、半導体材料内に捕らえられた水素と化学的に結合し、および/または材料内への水素の拡散を遮断する。

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